一句话看懂：随着3D NAND闪存堆叠层数突破400层，字线金属材料正从钨转向钼，以解决信号延迟和发热问题。SK海力士已计划在2025年底量产使用钼材料的375层3D NAND，这一技术拐点正在落地。
事件核心：发生了什么
3D NAND闪存通过垂直堆叠存储单元来提升密度，目前堆叠层数已从200层向604层演进。当层数增加时，连接各层存储单元的字线（Word Line）变得更细更长，钨的电阻急剧上升，导致信号延迟和发热。钼的电阻率更低且无需额外阻挡层，成为高层堆叠的必然替代材料。
具体进展方面，SK海力士于2024年6月完成了375层3D NAND的生产验证，计划2025年底在清州M15工厂量产。与此相关的钼前驱体供应商雅克科技已与SK海力士敲定涨价，自2024年7月1日起Mo前驱体普涨20%以上，并已为三星、长江存储、长鑫存储等客户配套研发多年。
为什么重要
“以钼代钨”本质是闪存产业在物理极限下的材料升级，直接决定3D NAND能否继续向更高层数推进。目前全球能通过三星、SK海力士认证的钼前驱体供应商不超过3-5家，形成高溢价+供给认证壁垒，而非大宗商品逻辑。从供给端看，全球钼产量约40%来自南美铜矿伴生，供给弹性低；而需求侧传统钢铁领域稳定、半导体增量在2027-2028年进入放量阶段，机构普遍判断钼价有望突破2022年高点6500元/吨度。
对用户/开发者/创作者的影响
对终端用户而言，3D NAND层数提升直接带来存储密度和能效改善，未来SSD容量更大、功耗更低，AI训练和推理场景中高密度存储成本有望降低。对投资者和产业观察者而言，半导体级钼前驱体是确定性增量方向，但整体市场规模有限（2030年预计新增需求约334吨），重点关注高纯溢价和认证壁垒，而非总量冲击。对开发者而言，更高层数的3D NAND将间接降低数据中心和边缘设备的存储采购成本，尤其利好大规模AI模型训练和推理的算力基础设施。
值得关注的后续
1. SK海力士375层产品在2025年底的量产节奏是否如期推进，以及良率和成本表现；2. 雅克科技等钼前驱体供应商能否通过三星、铠侠等客户的认证并进入量产采购；3. 沙坪沟钼矿（2029年投产）和曹四夭钼矿（2028年后释放）等新产能的进展，是否改变全球钼供给格局。
来源：36氪 · 24小时热榜
